Investigadores saudíes crean el primer microchip de seis capas que revolucionará la electrónica flexible
Tecnología

Investigadores saudíes crean el primer microchip de seis capas que revolucionará la electrónica flexible

Un equipo de la Universidad Rey Abdullah de Ciencia y Tecnología (KAUST) en Arabia Saudí ha logrado un hito histórico al desarrollar el primer microchip CMOS híbrido de seis capas para electrónica de gran superficie, superando el récord anterior de solo dos capas apiladas y estableciendo un nuevo estándar para la eficiencia y compacidad de los dispositivos electrónicos futuros.

TECNOLOGÍA18 OCT 2025

El avance, publicado en la revista Nature Electronics, representa un cambio de paradigma en el diseño de microchips que podría transformar múltiples industrias tecnológicas en los próximos años.

La tecnología CMOS (semiconductor complementario de óxido metálico) constituye la base de la mayoría de los dispositivos electrónicos modernos, desde teléfonos inteligentes y ordenadores portátiles hasta satélites y equipos médicos. Durante décadas, la industria ha seguido la tendencia de reducir continuamente el tamaño de los chips de silicio para aumentar la potencia de cálculo en dispositivos cada vez más pequeños.

Sin embargo, según explicó el profesor asociado Xiaohang Li, quien dirigió el estudio y dirige el Laboratorio Avanzado de Semiconductores de KAUST, "la industria de semiconductores ha dependido durante mucho tiempo de hacer los transistores más pequeños para mejorar el rendimiento, pero ahora nos estamos acercando a los límites cuánticos. Para seguir avanzando, necesitamos una nueva dirección: apilar transistores verticalmente en lugar de reducirlos horizontalmente".

Este enfoque de apilamiento vertical crea efectivamente un "rascacielos" de transistores, permitiendo que más potencia de cálculo se ajuste en la misma superficie. No obstante, construir estos chips multicapa ha sido extremadamente desafiante hasta ahora.

Los métodos de fabricación convencionales requieren temperaturas muy altas —a menudo superiores a 400°C— que pueden dañar las capas inferiores cuando se añaden nuevas. El equipo de KAUST superó este obstáculo desarrollando un proceso de fabricación a baja temperatura que nunca excede los 150°C y, en muchos pasos, opera cerca de la temperatura ambiente. Este proceso suave preserva la integridad de las capas inferiores mientras mantiene el rendimiento eléctrico.

Los investigadores también realizaron mejoras clave para garantizar que cada nueva capa permanezca lisa y precisamente alineada, ambas características esenciales para las conexiones verticales entre transistores.

"El diseño de microchips consiste en empaquetar más potencia en menos espacio", afirmó el investigador postdoctoral Saravanan Yuvaraja, primer autor del artículo. "Al refinar cada paso de fabricación, hemos creado una hoja de ruta clara para construir pilas de semiconductores más altas y eficientes".

Este logro podría tener implicaciones de gran alcance para tecnologías emergentes como la electrónica flexible, dispositivos de salud portátiles y el Internet de las Cosas (IoT), donde existe una gran demanda de chips ligeros, de bajo costo y alto rendimiento.

Con este chip CMOS híbrido de seis capas, el equipo de KAUST no solo ha batido un récord mundial, sino que también ha abierto una nueva frontera para el futuro de la miniaturización y el rendimiento electrónico, estableciendo las bases para una nueva generación de dispositivos más potentes y versátiles.

SIGUE LEYENDO
MÁS DE TECNOLOGÍA
Investigadores saudíes crean el primer microchip de seis capas que revolucionará la electrónica flexible · ColGlobal